半導體芯片的冷熱沖擊試驗方法

1. 根據產品使用環境確定試驗溫度。
2. 試件暴露于極值溫度的持續時間應為半導體芯片的實際工作時間或溫度穩定的時間。GJB 150中規定持續時間一般為1h，或者是溫度達到穩定的時間，當溫度穩定的時間超過1h，則使用溫度穩定時間。
3. 轉換時間與溫度變化速率，GJB 要求會比 GB 要求更為嚴苛。例如，GJB 150A 中要求轉換時間盡可能短，轉換時間要求不大于1min ,溫度變化速率小于3℃/min，如果因為試樣尺寸過大，導致時間超過 1min ，應說明合理性。

半導體芯片冷熱沖擊方法

• 將試件芯片通電置于置物架上；

• 根據要求設定試驗溫度；

• 首先對試件進行低溫試驗，再進行高溫試驗，循環次數依要求進行；

• 記錄半導體芯片工作狀態下，在設定溫度下的相關參數, 對產品分析, 工藝改進以及批次的定向品質追溯提供確實的數據依據。

冷熱沖擊方向選擇

試件從低溫或是高溫試驗開始，不同標準有不同的解析。若試驗從低溫段開始，試驗結束在高溫段；若試驗從高溫段開始，結束在低溫段。為防止試件在試驗結束后表面產品凝露，試驗結束在低溫段時需要增加烘干恢復的過程，這樣就增加了試驗周期，建議試驗從低溫段開始，結束在高溫段。